綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目中標(biāo)候選人公示
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詳細內(nèi)容 |
? 公告內(nèi)容
中標(biāo)候選人公示 |
工程編號 |
F0SG202400760 |
建設(shè)單位名稱 |
中國科學(xué)院微電子研究所 |
招標(biāo)人項目負責(zé)人 |
牛力 |
招標(biāo)人內(nèi)部紀(jì)檢監(jiān)督聯(lián)系方式 |
010-82995885 |
工程名稱 |
綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目 |
建筑規(guī)模 |
2075平方米 |
建設(shè)地點 |
北土城西路3號 |
中標(biāo)候選人 |
中國電子系統(tǒng)工程第四建設(shè)有限公司;北京城建八建設(shè)發(fā)展有限責(zé)任公司;中建一局集團第二建筑有限公司 |
公示開始時間 |
2025-04-04 |
附件列表:
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